我们生产的为非晶硅薄膜太阳能电池，了解 PECVD设备及工艺需要对真空镀膜有一个了解，并且对半导体物理及薄膜知识有一定的认识。不同设备和不同类型规格的薄膜要采用适当的分切工艺，设备状况变化时也可以通过工艺调整给予弥补，但工艺调整必须谨慎。我们先对进口真空泵及薄膜的基础概念做一个粗略的了解。

关于进口真空泵及薄膜的基础概念，东莞市普诺克真空科技有限公司分为两个方面进行分析。

关于薄膜的基础概念，有以下几个方面。

①薄膜：在严格的学术意义上，认为只有聚集厚度小于某一特征厚度的材料才是真正的薄膜，否则便是一般的薄材料。

②特征厚度：是利用物质的某些基本性质在物质聚集厚度很薄的情况下会发生异常变化的现象而确定的，即当被选定为参考的某一物理性质或机械性质开始显示出不同于它通常所具有的特点时的厚度，便是给物质的薄膜特征厚度。可以认为薄膜是一种二维的材料。

③沉积技术：

气相沉积（将构成薄膜的物质气化后在沉积到衬底上）。

液相沉积（在液体中沉积镀膜）。

气相沉积：比较容易控制薄膜的组分。

液相沉积：在接近于热平衡的条件下成膜，能获得较妤的膜质。

薄膜的主要性能

①膜厚：越均匀越妤，一般应控制在一个范围以内比如5%，这与玻璃基板尺寸有关。

②膜表面形貌：通过扫描电子显微镜（SEM）投射电子显微镜（TEM）等分析表明颗粒状态，可获得薄膜表面的致密情况，缺陷状态，退火处理对膜表面的影响等信息。

③膜机构特性：用Ⅹ射线衍射分析膜的组成成分，可获得膜的纯度等信息。

膜应力：薄膜内部的应力越小越好，通过退火处理可最大程度的释放膜的内部应力。

④膜与衬底的接触特性：主要是指薄膜与衬底之间的附着力，当然附着力越强越好，可避免薄膜出现缺失，开路等。

⑤膜的致密性：主要指的是膜层的硬度和抗磨性。避免外界划伤引起的开路现膜的化学，热稳定性。

⑥针对金属膜层：要求制备出的金属膜层的电阻率尽可能低，接近体电阻率。

关于进口真空泵的基础概念

①真空：低于一个大气压的状态就是真空。

②真空度：真空状态下气体的稀薄程度。

③标准环境条件：温度20°C，相对湿度65%，大气压力101325Pa。

④真空特点：气体分子平均自由程大；单位面积上分子与固体表面碰撞几率变小；气体分子密度低；剩余气体对沉积膜的掺杂减小。要想获得高品质的薄膜就必须有一个比较理想的本底真空。

进口真空泵的不同真空状态下真空工艺应用

⒈粗真空（10000-1000Pa）：气体状态与常压相比只是分子数量的减少，没有气体空间特性的变化，分子间碰撞频繁，此时的吸附气体释放可以不予考虑，气体运动以粘滞流为主。主要是利用压力差产生的力来实现真空力学应用（真空吸引或运输固体、液体、胶体等真空吸盘起重，真空过滤）

⒉低真空（1000-0.1Pa）：气体分子间，分子与器壁间碰撞不相上下，气体分子密度较小，气体释放也可不考虑，气体运动以中间流为主。利用气体分子密度降低可实现无氧化加热，利用气压降低时气体的热传导和对流逐渐消失的原理可以实现真空隔热及绝緣，利用压强降低液体沸点也降低的原理实现真空冷冻和真空干燥（黑色金属真空熔炼脱气，真空绝缘和真空隔热，真空冷冻及千燥，高速空气动力学实验中的低压风洞）。

⒊高真空（0.1-0.0001Pa）：气体分子间相互碰撞极少，气体分子与器壁间碰撞频繁，气体运动以分子流为主，此时的气体释放是影响真空度及抽气时间的一个主要原因。利用气体分子密度低，任何物质与气体残余分子发生化学作用微弱的特点进行真空冶金，真空镀膜（超纯金属、半导体材料的真空提纯及精制，真空镀膜，离子注入、干法刻蚀等表面改性，真空器件的生产：光电管、各种粒子加速器等）。

⒋超高真空（>0.0000Pa）：气体分子与器壁的碰撞次数极少，气体空间只有固体本身的原子，几部没有别的分子或原子的存在，此时压强的升高除了泄漏外主要就是器壁分子的释放。应用：宇宙空间环境的模拟，大型同步质子加速器的运转。